Establishment of the company;

The production line of Mulin production base was put into operation;

The design and development of standard IGBT modules such as 34mm and 62mm have been completed;

Development of the first IGBT chip of 1200V grade (1200V 100A) designed and manufactured by ourselves, using trench gate + field cut-off + thinning technology, benchmarked against Infineon IGBT4 products, with reliability passing industrial grade assessment.

Perform PIM (Power Integrated Module) design;

650V grade IGBT chip flow, the first 150A chip output;

The 1200V grade IGBT module has received small batch orders in the inverter welding machine and industrial inverter markets; 

The current specifications of 1200V grade IGBT chips are constantly improving, and 75A, 150A, and 200A products are released;

Establish a SiC chip development project team to conduct research and planning for SiC diodes and MOSFET chips;

The current specifications of 1200V grade IGBT chips are constantly improving; 75A, 150A, and 200A products are released.

PIM module output, with reliability passing industrial level assessment;

The reliability of the first IGBT chip in the 650v levelhas passed the industrial level assessment, and the75A, 100A, and 200A chips have been released;

The 1200V grade IGBT module has received batch orders, product performance has been recognised by customers;

EZ 1B, 2B and 650V IPM module (Intelligent Power Module) development for photovoltaic, white goods and other fields;

1200V 20A SiCJBS diode output, reliability passed industrial grade assessment, 1200V 40mQ MOSFET chip engineering batch flow.

The reliability assessment test of EZ series and 650V IPM products has passed;

Develop new energy vehicle motor controller module based on market demand;

1600V reverse conduction IGBT chips were developed based on market demand and passed engineering batch reliability assessment;

650V and 1200V voltage levels, 50A, 75A, 100A and 150A current PIM modules in the field of induction heating, servo drives and other areas to obtain bulk orders;

Complete spectrum of 1200V grade SiC JBS chips with currents involving 20A, 30A and 40A and 1200V 17mΩ, 30mΩ and 80mΩ SiC MOSFET chips released.

Development of hybrid SiC modules (Si IGBT + SiC JBS chips) to meet the needs of low loss areas;

Bulk orders for 1200V SiC JBS diodes and MOSFET discrete devices in the power supply sector;

Development of 750V grade high current IGBT chips based on the demand of new energy vehicles, with 225A product engineering batches ending;

Development of 650V series SiC JBS and MOSFET chips, 40A JBS and 15mΩ MOSFET chips released;650V and 1200V EZ series products received small volume orders in photovoltaic field, volume orders in servo drive field and volume orders for 1600V 40A reverse conduction IGBT chips in industrial induction cooker applications.

Development of double-sided heat sink module and wind power IGBT module;

1200V grade SiC MPS chip development, inrush current up to 12 times rated current;

750V and 1200V grade IGBTs and SiC modules for new energy vehicles received small volume orders;

For better security of supply and delivery, BYSM added domestic GTASEMI and HHGrace to the chip flow factory;

650V and 1200V fine trench gate chip development, benchmarked against peers' IGBT7 products, with significant chip loss and area reduction.

Double-sided heat dissipation and wind power module process validation;

The company's products cover industrial and automotive products;

650V and 1200V trench grid SiC MOSFET chip design;

650V and 1200V fine trench gate IGBT chip platform with 75A, 150A and 200A chip reliability assessment.